最近ASML（阿斯麥）交付了第三代極紫外（EUV）光刻工具 ，新設備型號為Twinscan NXE:3800E ，配備了0.33數值孔徑透鏡 。相比於之前的Twinscan NXE:3600D ，性能有了進一步的提高 ，可以支持未來幾年3nm及2nm芯片的製造 。

在ASML看來 ，Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA EUV光刻技術在性能（每小時處理的晶圓數量）和精度方麵的又一次飛躍 。新的光刻設備可實現每小時處理195片晶圓的處理速度 ，相比Twinscan NXE:3600D的160片大概提升了22% ，將來有可能提高至220片 。此外 ，新工具還提供了小於1.1nm的晶圓對準精度 。

即便用於4/5nm芯片的生產 ，Twinscan NXE:3800E也能提升效率 ，讓製造商可以提高芯片生產的經濟性 ，實現更為高效且更具成本效益的芯片生產 。更為重要的一點 ，是Twinscan NXE:3800E對於製造2nm芯片和後續需要雙重曝光的製造技術有更好的效果 ，精度的提升會讓3nm以下的製程節點受益 。

Twinscan NXE:3800E光刻機的價格並不便宜 ，機器的複雜性和功能是以巨大的成本為代價 ，每台大概在1.8億美元 。不過比起新一代High-NA EUV光刻機的報價 ，顯然還是要低很多 。此前有報道稱 ，業界首款采用High-NA EUV光刻技術的TWINSCAN EXE:5200光刻機報價達到了3.8億美元 。

ASML還會繼續推進Low-NA EUV光刻設備的開發 ，接下來將帶來新款Twinscan NXE:4000F ，計劃在2026年發布 ，這凸顯了ASML對EUV製造技術的承諾 。